硅 MOSFET 中的 Hubbard 带磁导电性
强关联电子
2007-10-11 v8
摘要
将钠掺杂物扩散至硅肖特基-半导体界面以形成掺杂带。在低温和低电子密度下，该带在库仑相互作用作用下被分为上部和下部两个区域。我们采用磁导电性测量提供了 Hubbard 带存在的证据，并确定了每个带中状态的性质。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512124,
title = {Magnetoconductivity of Hubbard bands induced in Silicon MOSFETs},
author = {T. Ferrus and R. George and C. H. W. Barnes and N. Lumpkin and D. J. Paul and M. Pepper},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512124},
year = {2007}
}
备注
In press in Physica B