具有关联传导电子的金属中的磁性杂质：无穷维方法
强关联电子
2009-10-30 v1
摘要
我们考虑了与格点耦合的磁性安德森杂质的哈伯德模型。在无穷维情况下，杂质电子的单粒子关联由双杂质系统的有效哈密顿量描述。其中一个杂质与自由电子浴相互作用并代表哈伯德晶格，另一个杂质通过裸杂化相互作用与第一个杂质耦合。在1/N展开框架下并针对弱传导电子相互作用（小U）情况对有效双杂质哈密顿量的研究揭示了通常指数型近藤标度的增强。然而，通过变分原理处理的中间相互作用（U/D = 1 - 3）导致指数标度的丧失。计算了有效双杂质系统的近藤温度T_K作为杂化参数的函数，并表明T_K随U的增加而降低。讨论了半填充时中间区域近藤效应的非费米液体特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9706283,
title = {Magnetic Impurity in a Metal with Correlated Conduction Electrons: An Infinite Dimensions Approach},
author = {Benny Davidovich and V. Zevin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9706283},
year = {2009}
}
备注
12 pages with 8 PS figures, RevTeX