二维拓扑绝缘体边缘上的近藤晶格
强关联电子
2012-06-14 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们重新审视了二维时间反演不变拓扑绝缘体边缘上的单量子杂质问题，并表明对于反铁磁近藤耦合，零温度相图包含一个大的局域矩区域，这一点被先前的不成熟标度处理所遗漏。在所谓的解耦点处的精确解与 Anderson-Yuval-Hamann 重整化群分析相结合，使我们能够研究边缘上强电子-电子相互作用与强近藤耦合的区域。我们将类似方法应用于与边缘液体相互作用的量子杂质规则一维阵列问题。当边缘电子相对于杂质晶格处于半填充时，系统保持无能隙，除非边缘的 Luttinger 参数小于 1/2，此时双粒子背散射效应驱动系统进入具有长程 Ising 反铁磁序的有能隙相。这与普通半填充一维近藤晶格的有能隙无序基态形成鲜明对比。
关键词
引用
@article{arxiv.1204.0017,
title = {Kondo lattice on the edge of a two-dimensional topological insulator},
author = {Joseph Maciejko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.0017},
year = {2012}
}
备注
18 pages, 3 figures; fixed typos, updated references