带填充效应对Kondo格子性质的影响
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
我们在包括站内Kondo耦合和站间反铁磁交换相互作用的Kondo格子模型中给出理论结果，采用扩展均场近似法。我们描述了非整数导带填充的情况，导致当导电电子数不足以屏蔽所有晶格自旋时出现的“耗尽”问题。这一现象在计算的磁化率中最为明显。得到的Kondo温度不同于单颗粒Kondo温度，随着站间相互作用的增大而升高，但当带填充较低或站间耦合较强时，Kondo效应会突然消失；我们给出双参数函数的相图。文中还讨论了铼系Kondo化合物的实验结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0212034,
title = {Band-filling effects on the Kondo-lattice properties},
author = {B. Coqblin and C. Lacroix and M. A. Gusmão and J. R. Iglesias},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0212034},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 8 figures, to appear in Phys Rev B (1 february 2003)