一维Kondo晶格中自旋、电荷与准粒子能隙：f²配置
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
采用密度矩阵重正则群方法研究一维Kondo晶格的地面状态性质，其每个站点均为f²配置。在半填充条件下，Kondo交换互作用J与f壳内反铁磁相互作用I之间的竞争导致自旋、准粒子和电荷激发能隙的降低。由竞争引发的导电电子之间的吸引力形成束缚态。随着J/I的增大，f²三角形态由Kondo三角形态成为主导的局部关联。准粒子能隙的显著变化由自旋1/2激发特性从它inerant性质向局域性质的转变所驱动。讨论了可能的金属-绝缘体相变，这可能以J/I比例变化的方式发生，依据f²晶格系统和两 impurity Kondo系统的均场结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9810054,
title = {Spin, Charge and Quasiparticle Gaps in the One-Dimensional Kondo Lattice with f^2 Configuration},
author = {S. Watanabe and Y. Kuramoto and T. Nishino and N. Shibata},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9810054},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 7 figures, submitted to J. Phys. Soc. Jpn