拓扑近藤半金属中的相干磁激发
强关联电子
2026-03-04 v1
摘要
在近藤绝缘体中，多体近藤晶格效应驱动了包含重载流子的能带形成，并伴有杂化能隙，从而导致绝缘特性。这些重整化能带可以承载由强电子-电子相互作用驱动的非平凡拓扑，但在低温下探测窄的重带具有挑战性。我们利用非弹性中子散射(INS)探测了近藤晶格CeNiSn，该材料同时具有半金属输运特性和杂化能隙。INS响应表现出动量依赖的磁激发和低温近藤相干态中的自旋能隙，电子结构计算证实这些源于重整化的重带结构。动力学平均场理论表明，这种重整化能带结构对应于拓扑近藤绝缘态，因此INS探测的是重拓扑带的体激发。这种对近藤绝缘体的识别解决了CeNiSn电子特性长期存在的谜团，并证明了拓扑多体相干态在强关联窄带材料光谱测量中的体现。
引用
@article{arxiv.2603.02747,
title = {Coherent magnetic excitations in a topological Kondo semimetal},
author = {Xiaoying Zheng and Devashibhai T. Adroja and Hiroaki Kadowaki and Rajesh Sharma and Tanmoy Das and Seiko Ohira-Kawamura and Maiko Kofu and Zhaoyang Shan and Toshiro Takabatake and Huiqiu Yuan and Chao Cao and Michael Smidman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.02747},
year = {2026}
}
备注
21 pages, 4 figures