欠屏蔽准四重态近藤晶格中的光学与磁激发

由单一双重简并导带和晶体电场分裂的4f电子准四重态构成的欠屏蔽近藤晶格，通过约束平均场理论得到了非常规的准粒子色散。在上、下杂化带的主杂化带隙中发现了一个额外的真正重带，其重有效质量由晶体电场分裂控制。该重带的存在应深刻影响动态光学和磁响应函数。在前者中，光导率的起始并非主杂化能，而是出现在向额外重带直接跃迁中的低得多的近藤能标。动态磁响应也因带隙内重带而强烈改变，该重带可导致非常规共振激发，可能解释为相干晶体电场-近藤晶格磁激子带。其在低温下的不稳定性标志着欠屏蔽近藤晶格中感应激子磁性的出现。