拓扑Kondo绝缘体中的巨磁电阻
强关联电子
2016-04-21 v2
摘要
复杂系统的异常电学性质需要新思路来解释其行为与实现可能性。在本文中,我们展示在拓扑Kondo绝缘体态中实现了巨磁电阻,类似于Kondo晶格中的Kondo绝缘体态。该现象的机制如下:在自旋无隙相中,外磁场在自旋激发谱中诱导出能隙,由于自旋与费米子子系统在半填充时的杂化,费米子谱中的能隙打开,结果磁场导致金属-绝缘体(或坏金属-绝缘体)相变。研究了一个定义在蜂窝晶格上的拓扑Kondo晶格模型,其无自旋费米子带半填充。表明定域磁矩与巡游费米子之间的杂化应理解为自旋和电荷扇区的相应Majorana费米子之间的杂化。系统是拓扑绝缘体,低能下单费米子和自旋激发是有质量的。我们将展示自旋能隙在电荷通道中诱导能隙,导致出现具有手性无隙边缘模和陈数1或2(取决于交换积分值)的拓扑绝缘体态。讨论了这与传统Kondo绝缘体态的相关性。
引用
@article{arxiv.1504.06819,
title = {Colossal magnetoresistance in topological Kondo insulator},
author = {Igor O. Slieptsov and Igor N. Karnaukhov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.06819},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 12 figures, LaTeX; language improved, phenomenon highlighted