蜂窝晶格上拓扑绝缘体相与 Kondo 绝缘体相的竞争
强关联电子
2013-08-09 v3
摘要
我们研究了巡游电子的自旋-轨道相互作用与其同密集分布在蜂窝晶格上的局域磁矩之间的 Kondo 耦合的竞争。我们发现，该模型在半填充时于非零 Kondo 耦合处展现出拓扑绝缘体与 Kondo 绝缘体之间的量子相变。在 Kondo 屏蔽的情况下，调节电子浓度可以导致新的拓扑绝缘体相。结果表明，重费米子相图包含了一个拓扑态、Kondo 相干态与磁性态相互竞争的新区域，并且该区域可能与具有 传导电子的 Kondo 晶格系统尤为相关。最后，我们讨论了我们的结果在近期涉及拓扑绝缘体表面态的 SmB 实验背景下的意义，以及在压力下 SmB 的相变和 CeNiSn 在化学压力下的现有实验的意义。
引用
@article{arxiv.1206.0979,
title = {Competing topological and Kondo insulator phases on a honeycomb lattice},
author = {Xiao-Yong Feng and Jianhui Dai and Chung-Hou Chung and Qimiao Si},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.0979},
year = {2013}
}
备注
(v3) Published version including the main text (5 pages + 4 figures) and a supplementary material discussing the effects of quantum fluctuations of the slave bosons and antiferromagnetic ordering of the local moments on the transitions among the Kondo, magnetic and topological states