双通道Kondo晶格的大N方法研究
强关联电子
2020-02-26 v1
摘要
本文研究了半填充大N极限下的双通道Kondo晶格。在该模型中，连续的通道对称性自发破缺，形成通道铁磁体，其中一个传导通道形成Kondo绝缘体，而另一个保持导电。本文讨论了如何利用“序参量分馏”的概念理解这一基态，其中通道磁化强度分解为一个涌现的自旋序参量。通过对费米子积分，我们推导出一个有效作用量，描述这一对称性破缺及其涌现的集体模式。一个引人注目的观察是，序参量中的拓扑缺陷携带U(1)通量，表现为绕缺陷运动的电子所获取的Aharonov-Bohm相位。通过研究有效作用量，我们认为相图中包含一个大费米面与小费米面之间的非磁性转变。
引用
@article{arxiv.1911.13129,
title = {Large-N Approach to the Two-Channel Kondo Lattice},
author = {Ari Wugalter and Yashar Komijani and Piers Coleman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.13129},
year = {2020}
}