二维非同构晶体中的填充强制 Kondo 半金属

我们在填充为每单胞两个传导电子的情况下，研究非同构 Shastry-Sutherland Kondo 晶格上 Kondo 屏蔽与受挫磁性之间的竞争。先前对该模型的分析确定了一组介于 Kondo 破坏顺磁体与重费米液体之间的无能隙部分 Kondo 屏蔽相。基于晶体对称性，我们论证：(i) 顺磁体和重费米液体均为受滑移对称性保护的半金属；(ii) 部分 Kondo 屏蔽破坏了该对称性，消除了此保护，并允许部分 Kondo 屏蔽相通过 Lifshitz 相变形变为 Kondo 绝缘体。我们使用大 $N$ 平均场理论确认了这些结果，随后利用非微扰论证推导出广义 Luttinger 求和规则，以约束超出平均场极限的 2D 非同构 Kondo 晶格的相结构。