部分能带填充下的一维 Kondo 点阵模型
强关联电子
2015-06-25 v1
摘要
1977 年引入的 Kondo 点阵模型描述了与传导电子海相互作用局域磁矩构成的晶格。它是研究一类被称为重费米子体系的稀土化合物最重要的典范模型之一，因此四分之一世纪多以来被多种技术广泛深入地研究。本综述聚焦于部分能带填充下的一维情形，即传导电子数少于局域磁矩数的情况。本文详细介绍了基于玻色化求解的常规 Kondo 点阵模型的理论理解。本综述自然分为两部分，第一部分涉及形式体系的描述，第二部分涉及其应用。在对玻色化技术进行全面描述之后，详细构造了 Kondo 点阵哈密顿量的玻色化形式。接下来，全面描述了双交换序、Kondo 单态形成、RKKY 相互作用和自旋极化子形成。随后对相图进行了深入分析，特别强调了自旋翻转无序散射对铁磁相的破坏以及近期的数值结果。结果表明，这些结果对反铁磁和铁磁 Kondo 点阵均成立。总体叙述具有教学性质。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0502069,
title = {The one dimensional Kondo lattice model at partial band filling},
author = {M. Gulacsi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0502069},
year = {2015}
}
备注
Review, 258 pages, 19 figures