一维扩展 Kondo 格子模型远离半填充处的量子相变
强关联电子
2007-05-23 v3
摘要
我们研究了一维的*扩展* Kondo 格子模型，该模型在导电电子远离半填充由 t-J 哈密顿量描述，在局部自旋半填充处由海森堡哈密顿量描述。遵循 Shankar 的方法，我们找到了该模型的有效场论，其中掺杂空穴由无质量的 Dirac 费米子（holons）表示，自旋激发被分子化为相对论性玻色子（spinons）。这些 holons 和 spinons 通过 U(1) 规范涨落相互作用。由于 Kondo 耦合的存在，局部自旋的 Berry 相位效应消失，导致 spinon 激发能有质量。此外，规范涨落被空穴掺杂所抑制。因此，除非 Kondo 杂化强度足够大，否则带质量的 spinons 被解耦并出现在局部自旋中。当 Kondo 杂化强度超过一定值时，我们发现局部自旋链变为临界状态。这表明，当前的一维 Kondo 格子模型 exhibits 从自旋有质量相到局部自旋链中的临界态的相变，由 Kondo 相互作用驱动。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410231,
title = {Quantum phase transition in one dimensional extended Kondo lattice model away from half filling},
author = {Ki-Seok Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410231},
year = {2007}
}