掺杂Kondo链中的自旋能隙
强关联电子
2009-10-30 v3 超导电性
摘要
我们证明了在远离半填充的Kondo链中，引入局域自旋之间的额外直接Heisenberg耦合会产生自旋能隙。这可以通过玻色化在Heisenberg-Kondo晶格模型的弱Kondo耦合极限下理解，并通过映射到修正的t-J模型在强耦合极限下理解。只有在特定的填充范围和Heisenberg耦合强度下，自旋能隙相才能从弱耦合延伸到强耦合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9702143,
title = {Spin Gap in a Doped Kondo Chain},
author = {Arnold E. Sikkema and Ian Affleck and Steven R. White},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9702143},
year = {2009}
}
备注
4 pages RevTeX including 4 eps figures; minor corrections and clarifications