近半填充一维导体与声子耦合的自旋隙相
强关联电子
2009-04-27 v2
摘要
通过重正化群方法研究了与声子耦合的近半填充一维导体的渐近性质。由于通过电子-声子相互作用的自旋-电荷耦合，自旋关联随填充以及电荷关联而变化。根据Umklapp过程和电子-声子相互作用的截断能标之间的关系，出现了各种相。我们在近半填充处发现了一个具有自旋隙和主导电荷密度波关联的金属相，位于无能隙密度波相（如掺杂排斥性Hubbard模型中的情况）和具有自旋隙的超导相之间。自旋隙由声子辅助的后向散射产生，这些散射根据电子-声子耦合的特性与Umklapp过程进行相长或相消干涉。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9604096,
title = {Spin-gap phase in nearly-half-filled one-dimensional conductors coupled with phonons},
author = {K. Yonemitsu and M. Imada},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9604096},
year = {2009}
}
备注
14 pages, revtex, replaced 5 ps figures, published in PRB