半填充的一维Kondo晶格：电荷性质

研究了Kondo链模型，其中半填充的自旋 1/2 导带电子具有 $M$ 重简并，并与局域自旋 $S$ 相互作用。结果表明，由于瞬子效应，自旋扇区在光导率中显现出来。即，在大波矢 $k \approx \pi$ 处的电荷流密度与交错磁化的拓扑荷密度成正比。因此，在 $k = \pi$ 处的光导率要么具有等于三个自旋能隙的能隙（对于 $|M - 2S|$ 为偶数，此时自旋谱有能隙），要么对于 $|M - 2S|$ 为奇数，表现出赝能隙 $\sigma(\omega, k = \pi) \sim \omega^2$。