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赝能隙安德森模型的相图及其在石墨烯中的应用

强关联电子 2021-07-22 v1

摘要

将一个 ss 波单轨道关联杂质置于非相互作用蜂窝晶格上的安德森模型(研究石墨烯上杂质的简化模型)用于研究赝能隙 Kondo 问题。该模型存在两个量子相:自由杂质局域磁矩相,以及该局域磁矩被完全屏蔽的 Kondo 相。这两相之间的转变正在研究中。本工作主要关注杂质置于晶格格点上方的情况。在此情形下,利用三个参数构建了完整相图:Hubbard 相互作用 UU、杂化强度 v0v_0 与杂质能级 ϵd\epsilon_d。相图呈现线性 (Uc,ϵdc)(U^c, \epsilon_d^c) 相边界,其斜率以及临界值 ϵdc\epsilon_d^c 均强烈依赖于 v02v_0^2。进一步分析表明,零频自能的实部与杂质占据数有助于理解相边界的行为。简要讨论了相变对杂质位置的依赖关系,揭示了在真实石墨烯晶格中实现赝能隙 Kondo 模型所需解决的困难。

关键词

引用

@article{arxiv.2107.09854,
  title  = {Phase diagram of a pseudogap Anderson model with application to graphene},
  author = {Hung T. Dang and Hoa T. M. Nghiem},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2107.09854},
  year   = {2021}
}

备注

14 pages, 9 figures