赝能隙安德森模型的相图及其在石墨烯中的应用
强关联电子
2021-07-22 v1
摘要
将一个 波单轨道关联杂质置于非相互作用蜂窝晶格上的安德森模型(研究石墨烯上杂质的简化模型)用于研究赝能隙 Kondo 问题。该模型存在两个量子相:自由杂质局域磁矩相,以及该局域磁矩被完全屏蔽的 Kondo 相。这两相之间的转变正在研究中。本工作主要关注杂质置于晶格格点上方的情况。在此情形下,利用三个参数构建了完整相图:Hubbard 相互作用 、杂化强度 与杂质能级 。相图呈现线性 相边界,其斜率以及临界值 均强烈依赖于 。进一步分析表明,零频自能的实部与杂质占据数有助于理解相边界的行为。简要讨论了相变对杂质位置的依赖关系,揭示了在真实石墨烯晶格中实现赝能隙 Kondo 模型所需解决的困难。
引用
@article{arxiv.2107.09854,
title = {Phase diagram of a pseudogap Anderson model with application to graphene},
author = {Hung T. Dang and Hoa T. M. Nghiem},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.09854},
year = {2021}
}
备注
14 pages, 9 figures