石墨烯上安德森杂质的局域矩形成
强关联电子
2011-06-30 v1
摘要
我们在安德森杂质模型框架内研究了单层石墨烯上磁性杂质的性质。由于石墨烯费米能级处局域态密度为零，杂质自旋无法被有效屏蔽。通过使用Gutzwiller近似处理该问题，我们在U-E^f参数空间中发现了一个区域，其中杂质处于局域矩态，其特征是导带电子与磁性杂质之间的有效杂化为零。这里U是杂质电子的在位库仑排斥能，E^f是杂质能级。还讨论了U与E^f之间的竞争。较大的U会减少双占据并有利于局域矩形成，而较深的杂质能级则倾向于双占据和非零杂化，从而形成近藤屏蔽态。对于固定的U，通过连续降低杂质能级，杂质首先从近藤屏蔽态进入局域矩态，然后离开该态并重新进入近藤屏蔽态。
引用
@article{arxiv.1106.5827,
title = {Local Moment Formation of an Anderson Impurity on Graphene},
author = {Chunhua Li and Jian-Xin Zhu and C. S. Ting},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.5827},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 5 figures, Revtex4