无能隙磁性合金中的 Kondo 屏蔽

我们通过 Bethe ansatz 研究自旋 1/2 Kondo 杂质在无能隙宿主中的低能物理，其中杂质处于能带态密度 $\rho_0(\epsilon)=|\epsilon|^r/(|\epsilon|^r+\beta^r)$ 在费米能级 $\epsilon=0$ 处消失。我们显示参数 $\Gamma_r=\beta{\rm g}^{-1/r}$（其中 ${\rm g}$ 为交换常数）的增长会导致系统基态从拥有被屏蔽杂质自旋的 Kondo 相变为杂质自旋未被屏蔽的 Anderson 相。然而，在弱磁场 $H$ 下，杂质自旋 $S_i(H)$ 超过其自由值 ${1/2}$，由于与能带的强耦合。我们还指出，足够强的势散射会破坏 Anderson 相。