双层石墨烯中的局域矩形成
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1 强关联电子
摘要
双层石墨烯（BLG）由于其子晶格的空间不均匀性而具有有趣的局域性质。我们应用Anderson杂质模型来考虑吸附在BLG不同子晶格上的磁性杂质的局域矩形成。我们发现当杂质吸附在A和B子晶格上时，杂质磁化表现出不同特征。吸附在A子晶格上的杂质即使杂质能级高于费米能级且局域库仑能非常小时也能磁化。但当杂质吸附在B子晶格上时，磁化仅在杂质能级和局域库仑能的有限值范围内可能。这是由于A和B子晶格上低能态的不同局域密度，这种差异源于它们的空间不均匀性。我们还表明，除了BLG中的不均匀性外，对吸附原子磁化的电学控制使得BLG在自旋电子器件中的应用潜力高于石墨烯。
引用
@article{arxiv.1406.7384,
title = {Local moment formation in bilayer graphene},
author = {Yawar Mohammadi and Rostam Moradian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.7384},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 4 figures, Mesoscale and Nanoscale Physics (cond-mat.mes-hall), Strongly Correlated Electrons (cond-mat.str-el)