单一杂质对石墨烯 Josephson 结的局部分析
介观与纳米尺度物理
2025-03-06 v2 超导电性
量子物理
摘要
本文研究了单个短程杂质对短程球性石墨烯 Josephson 结电子体系中的局部效应。我们在 Dirac-Bogoliubov-De Gennes 方法下，系统地分析了局域密度态，其亚隙能量依赖性使我们能够区分弹性与非弹性散射过程，并确定杂质的磁性。此外，我们观察到局域密度态的空间依赖性是探测由亚隙杂质诱导的束缚态所产生的微观过程的敏感探针。傅里叶分析证明了与高透射通道动量相关的波矢。
引用
@article{arxiv.2407.20940,
title = {Local analysis of a single impurity on a graphene Josephson Junction},
author = {Ignazio Vacante and Francesco M. D. Pellegrino and G. G. N. Angilella and Giuseppe A. Falci and Elisabetta Paladino},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.20940},
year = {2025}
}
备注
14 pages, 8 figure, 3 appendices