无序石墨烯的态密度
介观与纳米尺度物理
2008-10-18 v2
摘要
我们计算了由杂质势导致的无序石墨烯中的平均单粒子态密度。对于未屏蔽的短程杂质,我们使用非自洽和自洽的Born近似以及T矩阵近似来获得自能。在这些近似中,只有自洽T矩阵近似在狄拉克点给出非零态密度。狄拉克点处的态密度对杂质势是非解析的。对于屏蔽的短程杂质和带电的长程杂质,与纯净系统相比,杂质的存在通常会增加狄拉克点附近的态密度。
引用
@article{arxiv.0805.2148,
title = {Density of states of disordered graphene},
author = {Ben Yu-Kuang Hu and E. H. Hwang and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.2148},
year = {2008}
}
备注
8 pages, 5 figures