无序石墨烯系统中的平均态密度

Shangduan Wu; Lei Jing; Qunxiang Li; Q. W. Shi; Jie Chen; Xiaoping Wang; Jinlong Yang

doi:10.1103/PhysRevB.77.195411

无序石墨烯系统中的平均态密度

介观与纳米尺度物理 2009-11-13 v1

作者: Shangduan Wu , Lei Jing , Qunxiang Li , Q. W. Shi , Jie Chen , Xiaoping Wang , Jinlong Yang

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摘要

本文基于递推法计算了具有二元合金无序的无序石墨烯系统中的平均态密度 (ADOS)。我们观察到由与周围杂质相互作用引起的明显共振峰，以及在狄拉克点附近 ADOS 曲线中的反共振谷。我们还发现共振能 ( $E_r$ ) 和谷的位置对无序浓度 ( $x$ ) 及其在位势 ( $v$ ) 敏感。一种线性关系不仅在低杂质浓度下成立，而且在某些约束条件下可进一步扩展至高杂质浓度区域。我们还计算了具有有限空位密度的 ADOS，并将我们的结果与先前的理论结果进行了比较。

引用

@article{arxiv.0711.1018,
  title  = {Average Density of States in Disordered Graphene systems},
  author = {Shangduan Wu and Lei Jing and Qunxiang Li and Q. W. Shi and Jie Chen and Xiaoping Wang and Jinlong Yang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0711.1018},
  year   = {2009}
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无序石墨烯系统中的平均态密度

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