狄拉克点附近石墨烯中的电荷坑
介观与纳米尺度物理
2016-03-30 v1
摘要
在诸如 SiO 的介电衬底上的石墨烯中，载流子密度表现出不均匀性，即所谓的电荷坑。由于单层石墨烯中的线性色散关系，预计这些坑在电荷中性附近会增大，这是与传统二维电子气截然不同的性质。通过对介观石墨烯器件进行扫描隧道显微镜/谱学测量，我们直接观察到随着接近狄拉克点，这些坑在空间范围和幅度上的增长。自洽屏蔽理论为宏观输运性质和微观观察到的电荷无序提供了统一描述。
引用
@article{arxiv.1512.05304,
title = {Charge Puddles in Graphene Near the Dirac Point},
author = {S. Samaddar and I. Yudhistira and S. Adam and H. Courtois and C. B. Winkelmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.05304},
year = {2016}
}