电场显微镜观察到的 SiO$_2$ 表面无序电势
材料科学
2015-05-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用电场显微镜在环境条件下表征了生长在单晶硅衬底上约 300 nm 厚的 SiO 表面的电势。我们的结果显示了一个非均匀的电势分布，在 m 区域内波动高达约 0.4 V。在这些常见的石墨烯片介电衬底表面观察到的电势波动，应会导致石墨烯电荷密度的强烈变化，并为石墨烯输运性质的一些反常行为提供一个简单的解释。
引用
@article{arxiv.0905.2941,
title = {Disordered Electrical Potential Observed on the Surface of SiO$_2$ by Electric Field Microscopy},
author = {N. García and Zang Yan and A. Ballestar and J. Barzola-Quiquia and F. Bern and P. Esquinazi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.2941},
year = {2015}
}
备注
4 pages and 4 figures