SiO2 上单层石墨烯的空间分辨光谱
介观与纳米尺度物理
2009-05-19 v2 材料科学
摘要
我们在 SiO2 上的机械剥离单层石墨烯上进行了扫描隧道谱测量，以探究其电子性质与结构性质之间的关联。局域态密度图表现为电子和空洞洼，这是由于石墨烯内在褶皱和随机带电杂质引起的长程谷内散射所致。在低能下，我们观测到短程谷间散射，将其归因于晶格缺陷。我们的结果表明，石墨烯的电子性质受内在褶皱、缺陷和底层 SiO2 基底的影响。
引用
@article{arxiv.0812.1073,
title = {Spatially resolved spectroscopy of monolayer graphene on SiO2},
author = {A. Deshpande and W. Bao and F. Miao and C. N. Lau and B. J. LeRoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.1073},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 7 figures, extended version