金属箔上石墨烯层的电子结构：点缺陷的影响
介观与纳米尺度物理
2013-10-08 v2 材料科学
摘要
我们报道了一种在金属箔上的石墨烯中产生高密度点缺陷的简便方法，并展示了点缺陷如何影响石墨烯层的电子结构。我们的扫描隧道显微镜 (STM) 测量辅以第一性原理计算，揭示了点缺陷导致石墨烯发生谷间和谷内散射。由于散射增强，缺陷附近区域的费米速度降低。此外，我们的分析进一步指出，周期性点缺陷可以通过引入显著的带隙来调控石墨烯的电子性质，这为全石墨烯电子学开辟了一条途径。
引用
@article{arxiv.1302.4807,
title = {Electronic Structures of Graphene Layers on Metal Foil: Effect of Point Defects},
author = {Hui Yan and Cheng-Cheng Liu and Ke-Ke Bai and Xuejiao Wang and Mengxi Liu and Wei Yan and Lan Meng and Yanfeng Zhang and Zhongfan Liu and Jia-Cai Nie and Yugui Yao and Lin He},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.4807},
year = {2013}
}
备注
4 figures