通过原子层沉积在石墨烯线缺陷处选择性金属沉积

石墨烯中的一维缺陷对其物理性质（如电荷传输和机械强度）有强烈影响。由于具有增强的化学反应性，此类缺陷还可能使我们能够选择性地功能化材料并系统地调控石墨烯的性质。在此，我们展示了通过原子层沉积在化学气相沉积石墨烯的线缺陷（特别是晶界）处选择性沉积金属。原子层沉积使我们能够主要在石墨烯的晶界、折叠和裂纹处沉积 Pt，这是由于这些线缺陷具有增强的化学反应性，这一点已通过透射电子显微镜成像直接证实。石墨烯缺陷位点的选择性功能化，结合所沉积 Pt 的纳米线形貌，为传感应用提供了一个优越的平台。利用 Pt-石墨烯混合结构，我们展示了室温下高性能氢气传感器，并显示了其优于其他蒸发 Pt 沉积方法的优势，后者会在石墨烯表面非选择性地装饰 Pt。