原始及功能化石墨烯上金属氧化物的原子层沉积
材料科学
2008-05-27 v1
摘要
我们研究了在原始和功能化石墨烯上进行金属氧化物的原子层沉积（ALD）。在原始石墨烯上，ALD 涂层仅能在边缘和缺陷位点主动生长，那里的悬空键或表面基团会与 ALD 前驱体发生反应。这提供了一种简单的方法来修饰和探测石墨烯平面中的单个缺陷位点。我们使用苝四羧酸（PTCA）对石墨烯表面进行功能化，并在石墨烯上选择性地引入密集排列的表面基团。在大面积 PTCA 石墨烯上实现了均匀的超薄 ALD 涂层。该功能化方法可用于在未来石墨烯电子器件中集成超薄高电介质。
引用
@article{arxiv.0805.3712,
title = {Atomic Layer Deposition of Metal Oxides on Pristine and Functionalized Graphene},
author = {Xinran Wang and Scott Tabakman and Hongjie Dai},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.3712},
year = {2008}
}
备注
6pages, 3 figures, J. Am. Chem. Soc. in press