等离子体增强原子层沉积碳化钼上石墨烯层厚度的控制
应用物理
2019-12-06 v3 材料科学
摘要
我们展示了用于化学气相沉积（CVD）石墨烯生长的催化衬底的等离子体增强原子层沉积（PEALD）的优势。生长在碳化钼（）薄膜上的高质量多层石墨烯（MLG）在大面积上表现出优异的均匀性与层间同质性。此外，我们展示了如何通过改变特定催化薄膜的化学与物理性质来实现对石墨烯层厚度与性质的控制。这种生长控制并非数字式的，而是宽范围的，从少层石墨烯到在相应ALD催化衬底上生长的约层石墨烯的石墨薄膜。MLG的表征采用拉曼光谱、X射线光电子能谱（XPS）、光谱椭偏仪（SE）与扫描低能电子显微镜（SLEEM）进行。通过以均匀同质的方式改变MLG厚度，我们可为不同应用需求定制所需的MLG性质。此外，PEALD工艺可容易地适配于高产量制造工艺，并与现有生产线结合。
引用
@article{arxiv.1911.05001,
title = {Control of Graphene Layer Thickness Grown on Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Molybdenum Carbide},
author = {Eldad Grady and W. M. M. Kessels and Ageeth A. Bol},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.05001},
year = {2019}
}
备注
Preprint V.3; 7 pages, 6 figures. Abstract, Introduction and Discussion sections have been edited. More References added