二硫化钼原子层的气相生长与晶界结构
材料科学
2013-06-11 v1
摘要
具有直接带隙的单层二硫化钼是一种极具前景的二维材料，在下一代纳米电子学领域超越了石墨烯。在此，我们报道了二硫化钼原子层的可控气相合成，并阐明了其单晶层中成核、生长和晶界形成的基本机制。此外，建立了一种成核控制策略，以系统地促进大面积单层和少层薄膜的形成。研究了多晶二硫化钼原子层中晶粒及其边界的原子结构和形貌，并应用第一性原理计算研究了它们的能量势景。检验了原子层的电学性质并评估了晶界的作用。这些材料在厚度上的均匀性、大的晶粒尺寸以及优异的电学性能，表明了二硫化钼原子层的高质量和可扩展合成。
引用
@article{arxiv.1301.2812,
title = {Vapor Phase Growth and Grain Boundary Structure of Molybdenum Disulfide Atomic Layers},
author = {Sina Najmaei and Zheng Liu and Wu Zhou and Xiaolong Zou and Gang Shi and Sidong Lei and Boris I. Yakobson and Juan-Carlos Idrobo and Pulickel M. Ajayan and Jun Lou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.2812},
year = {2013}
}
备注
Submitted on Jan 6th 2013