SiO2 衬底上 MoS2 原子层的大面积气相生长与表征
材料科学
2011-11-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
单层二硫化钼（MoS2）是一种具有直接带隙的二维晶体，是补充石墨烯的二维纳米电子器件的有力候选者。近期已有尝试通过块体材料的化学和机械剥离来制备 MoS2 层。在此，我们展示了一种可扩展的化学气相沉积（CVD）方法，在 SiO2 衬底上大面积生长 MoS2 原子层。所制备的样品既可直接用于进一步的器件制造，也可容易地从 SiO2 上释放并转移至任意衬底。对所生长的 MoS2 薄膜进行的高分辨率透射电子显微镜和 Raman 光谱表征表明，其层数从单层到少数层不等。我们关于在介电体上直接生长 MoS2 层从而带来便捷器件制造可能性的结果，继石墨烯之后展示了不断扩展的有用二维原子层集合，这些原子层可被可控地合成和操控以用于众多应用。
引用
@article{arxiv.1111.5072,
title = {Large Area Vapor Phase Growth and Characterization of MoS2 Atomic Layers on SiO2 Substrate},
author = {Yongjie Zhan and Zheng Liu and Sina Najmaei and Pulickel M. Ajayan and Jun Lou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.5072},
year = {2011}
}