纳米结构硅波导上二硫化钼单层的直接生长
应用物理
2022-06-07 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
我们首次报道了在纳米结构绝缘体上硅波导上直接生长二硫化钼（MoS）单层。我们的结果表明，在可扩展工艺中利用化学气相沉积（CVD）于纳米结构光子器件上是可行的。在纳米结构上直接生长二维材料弥补了基于转移方法的诸多缺陷。我们展示了范德瓦耳斯材料在波导结构的曲线、边缘以及硅-SiO 界面上保形生长。此处用作生长衬底的波导结构不仅几何形状复杂，而且由于涉及两种材料（Si 和 SiO）而更为复杂。像这样无转移的方法为用光学活性直接半导体功能化纳米结构集成光学架构提供了一种新途径。
引用
@article{arxiv.2206.02526,
title = {Direct Growth of Monolayer MoS$_2$ on Nanostructured Silicon Waveguides},
author = {Athira Kuppadakkath and Emad Najafidehaghani and Ziyang Gan and Alessandro Tuniz and Gia Quyet Ngo and Heiko Knopf and Franz J. F. Löchner and Fatemeh Abtahi and Tobias Bucher and Sai Shradha and Thomas Käsebier and Stefano Palomba and Nadja Felde and Pallabi Paul and Tobias Ullsperger and Sven Schröder and Adriana Szeghalmi and Thomas Pertsch and Isabelle Staude and Uwe Zeitner and Antony George and Andrey Turchanin and Falk Eilenberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.02526},
year = {2022}
}