面向非线性光学器件的垂直取向MoS$_2$纳米片
材料科学
2020-01-29 v1
摘要
二硫化钼(MoS)等过渡金属硫族化合物是构建超薄纳米光子器件颇具前景的候选基元。对此类应用，相较于传统的水平MoS(h-MoS)，垂直取向MoS(v-MoS)纳米片因其固有的破缺对称性有利于增强非线性响应而具优势。然而，当前缺乏可控且可复现的v-MoS制备策略，限制了这一潜力的探索。在此，我们基于预沉积Mo金属籽层的硫化，对v-MoS纳米片生长进行了系统研究。我们证明高温硫化过程由硫从气-固界面到Mo籽层的扩散所驱动。此外，我们验证了所得v-MoS纳米结构相较其水平对应物具有增强的非线性响应。我们的结果朝制备用于通用非线性纳米光子器件的低维TMD基纳米结构迈出了一步。
引用
@article{arxiv.2001.10513,
title = {Vertically-oriented MoS$_2$ nanosheets for nonlinear optical devices},
author = {M. Bolhuis and J. Hernandez-Rueda and S. E. van Heijst and M. Tinoco Rivas and L. Kuipers and S. Conesa-Boj},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.10513},
year = {2020}
}
备注
Manuscript: 23 pages, 5 figures Supporting information: 9 pages, 6 figures