基于气相生长 MoS$_{2}$ 的异质结混合器件
材料科学
2014-07-02 v1
摘要
我们研究了一种垂直堆叠的混合光电二极管，其由转移到 p 型硅上的薄层 n 型二硫化钼 (MoS) 构成。由于 MoS 是通过可控且可调的气相硫化工艺生长的，因此该制造工艺具有可扩展性。所获得的大面积 p-n 异质结二极管表现出显著的光电导性，且可通过改变 MoS 层的厚度进行调节。由于纳米级 MoS 的直接和间接带隙跃迁，这些二极管具有宽光谱响应。此外，我们观察到光谱响应蓝移至可见光范围。该结果是迈向二维材料垂直器件可扩展制造的重要一步，并为材料工程构成了新的范式。
引用
@article{arxiv.1407.0270,
title = {Heterojunction Hybrid Devices from Vapor Phase Grown MoS$_{2}$},
author = {Chanyoung Yim and Maria O`Brien and Niall McEvoy and Sarah Riazimehr and Heiko Schäfer-Eberwein and Andreas Bablich and Ravinder Pawar and Giuseppe Iannaccone and Clive Downing and Gianluca Fiori and Max C. Lemme and Georg S. Duesberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.0270},
year = {2014}
}
备注
23 pages with 4 figures. This article has been published in Scientific Reports. (26 June 2014, doi:10.1038/srep05458)