层转移 MoS2/GaN PN 二极管
材料科学
2015-09-30 v1
摘要
本文报道了二维/三维 (2D/3D) p-二硫化钼/n-氮化镓 (p-MoS2/n-GaN) 异质结二极管的电学与光学表征。器件制备于通过化学气相沉积 (CVD) 在六方蓝宝石衬底上生长的高质量、大面积 p-MoS2 上。将加工后的器件转移到 GaN/蓝宝石衬底上，并通过 X 射线衍射 (XRD) 和原子力显微镜 (AFM) 对转移后的薄膜进行表征。从 AFM 扫描获得的同轴 XRD 谱与表面拓扑结构与此前生长的高质量连续 MoS2 薄膜一致。这些二极管的电流-电压测量表现出优异的整流特性，并利用电容-电压测量提取出转移后 MoS2/GaN 异质结约 0.2 eV 的导带偏移。该导带偏移通过内光电发射 (IPE) 测量得到证实。本文给出了 MoS2/GaN 异质结的能带排列。本工作展示了 2D/3D 异质结在新型器件应用中的潜力。
引用
@article{arxiv.1505.05196,
title = {Layer-Transferred MoS2/GaN PN Diodes},
author = {Edwin W. Lee and Choong Hee Lee and Pran K. Paul and Lu Ma and William D. McCulloch and Sriram Krishnamoorthy and Yiying Wu and Aaron Arehart and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.05196},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 6 figures