高电流密度2D/3D Esaki隧道二极管
仪器与探测器
2016-11-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
将二维材料（如过渡金属硫族化物）与块体半导体集成，为基于2D/3D异质结的新型器件结构提供了有趣的机会，且没有任何晶格匹配限制。通过利用GaN/MoS2异质结处有利的能带排列，将大面积、Nb掺杂的p型MoS2转移到重n掺杂GaN上，展示了一种Esaki带间隧道二极管。在MoS2/GaN非外延隧道二极管中测量到峰值电流密度446 A/cm2，具有可重复的室温负微分电阻、峰谷电流比1.2和最小迟滞。在Zener模式（反向偏置）下，-1 V偏置时测量到1 kA/cm2的高电流密度。通过将MoS2视为块体半导体对GaN/MoS2隧道结进行建模，发现2D/3D界面的静电学对于解释实验观察到的器件特性至关重要。
引用
@article{arxiv.1606.00509,
title = {High Current Density 2D/3D Esaki Tunnel Diodes},
author = {Sriram Krishnamoorthy and Edwin W. Lee and Choong Hee Lee and Yuewei Zhang and William D. McCulloch and Jared M. Johnson and Jinwoo Hwang and Yiying Wu and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.00509},
year = {2016}
}