具有150 kA/cm^2电流和可重复负微分电阻的低阻GaN隧道同质结
材料科学
2016-06-07 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了具有可重复负微分电阻和低电阻的GaN n++/p++带间隧道结。观察到反向与正向隧道电流密度随Si和Mg掺杂浓度的增加而升高。在这些结上，于约1.6-2 V正向电压下，在室温下观察到了无滞回、双向的负微分电阻。具有与p层隧道接触的热离子PN结在7.6 V下展现出150 kA/cm^2的正向电流密度，其低串联器件电阻为1 x 10^-5 ohm.cm^2。
引用
@article{arxiv.1601.04353,
title = {Low-resistance GaN tunnel homojunctions with 150 kA/cm^2 current and repeatable negative differential resistance},
author = {Fatih Akyol and Sriram Krishnamoorthy and Yuewei Zhang and Jared M. Johnson and Jinwoo Hwang and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.04353},
year = {2016}
}