低电阻 GaN/InGaN/GaN 隧道结
材料科学
2013-06-25 v2
摘要
利用比电阻为 1.2 X 10-4 {\Omega} cm2 的 P-GaN/InGaN/N-GaN 隧道结，演示了增强的空穴带间隧穿注入到 PN 结中。讨论了这些隧道结的设计方法论和低温特性，并描述了其在 PN 结器件中的集成。利用能带图解释了隧道结在 III-氮化物光电子器件中的应用。较低的带隙和极化场降低了隧穿势垒，从而消除了对 p 型 GaN 欧姆接触的需求。这种在 III-氮化物中高效载流子隧穿注入的演示，有望用隧穿接触层替代发光器件中现有的电阻性 p 型接触材料，仅需极小的表面金属占用面积，从而增强顶部发光发射器的光提取效率。
引用
@article{arxiv.1211.4905,
title = {Low Resistance GaN/InGaN/GaN Tunnel Junctions},
author = {Sriram Krishnamoorthy and Fatih Akyol and Pil Sung Park and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.4905},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures