用于 III-族氮化物紫外发射器中空穴注入的带间隧穿
材料科学
2015-06-23 v1
摘要
紫外发射器在传感、水净化和数据存储等领域有多种应用。尽管 III-族氮化物半导体体系具有紫外发射所需的带隙区域，但由于宽禁带 AlGaN 基紫外光发射器中 p 型电导率低和接触电阻高，实现高效的紫外固态发射器仍具挑战。本工作中，我们展示了高效带间隧穿可用于向紫外发射器非平衡注入空穴。采用极化工程的隧穿结将隧穿概率相比 PN 同质结提高了数个数量级，从而实现对紫外光发射器的高效隧穿空穴注入。这一高效带间隧穿的演示为紫外发光二极管和二极管激光器的设计引入了新范式，并实现了更高效率和更低成本的紫外发射器。
引用
@article{arxiv.1502.02080,
title = {Interband Tunneling for Hole Injection in III-Nitride Ultra-violet Emitters},
author = {Yuewei Zhang and Sriram Krishnamoorthy and Jared M. Johnson and Fatih Akyol and Andrew Allerman and Michael W. Moseley and Andrew Armstrong and Jinwoo Hwang and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.02080},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 7 figures, Submitted