氮化铝纳米光子电路中的宽带定向耦合
光学
2015-06-15 v1
摘要
绝缘体上氮化铝 (AlN) 已成为实现线性和非线性集成光子电路的一个有前景的平台。为了在芯片上有效路由光信号，需要对倏逝耦合波导模式的相互作用和偏振进行精确控制。在此，我们利用纳米光子 AlN 波导实现了具有宽耦合带宽和低插入损耗的定向耦合器。我们实现了入射模式的均匀分裂，这一点在集成马赫 - 曾德尔干涉仪中通过超过 33dB 的高消光比得到了证实。优化的三波导耦合器进一步允许将耦合带宽扩展到传统侧耦合器件的近一个数量级，并具有可变的分光比。我们的工作展示了 AlN 电路在耦合波导光学、密集波分复用 (DWDM) 应用和集成偏振分集方案方面的潜力。
引用
@article{arxiv.1303.4991,
title = {Broadband directional coupling in aluminum nitride nanophotonic circuits},
author = {Matthias Stegmaier and Wolfram H. P. Pernice},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.4991},
year = {2015}
}