基于单晶 AlN 平台的超高 Q 值紫外微环谐振器
应用物理
2019-11-14 v1 光学
摘要
紫外(UV)波段低损耗光子器件的发展将为经典与量子光学开辟新前景。与其他集成平台相比,氮化铝(AlN)尤其引人注目,因为它具有约 6.2 eV 的超大带隙以及本征的 chi(2) 与 chi(3) 极化率。在本工作中,我们基于单晶 AlN 微环在 390 nm 处展示了 2.1 x 10^5 的记录品质因数(光损耗约 8 dB/cm)。这种低损耗 AlN 紫外波导是迈向紫外光子集成电路的重要里程碑,因为它对未来集成基于 AlGaN 的紫外发射器与接收器具有完全兼容性。片上紫外光谱学、非线性光学与量子信息处理也可被展望。
引用
@article{arxiv.1807.10716,
title = {Ultra-high-Q UV microring resonators based on single-crystalline AlN platform},
author = {Xianwen Liu and Alexander W. Bruch and Zheng Gong and Juanjuan Lu and Joshua B. Surya and Liang Zhang and Junxi Wang and Jianchang Yan and Hong X. Tang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.10716},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 7 figures