在硅上 III-族氮化物平台中将紫外微盘激光器单片集成到光子电路中
应用物理
2020-07-30 v2
摘要
利用以氮化镓（GaN）为主要波导层的硅上 III-族氮化物平台，将紫外微盘激光器单片集成到光子电路中。该光子电路由一个微盘和一个以耦合光栅终止的滑轮波导组成。我们在连续波激发下测得高达 3500 的品质因子。在脉冲激发下观察到 374 nm 至 399 nm 的激光发射，实现了每脉冲 （阈值峰值功率 ）的低阈值能量。在盘与波导间 50 nm 小间隙下，于耦合光栅处观察到约 200 的大峰值背景对比度。这些器件在 GaN 可实现的工作波长方面处于极限。
关键词
引用
@article{arxiv.2006.13800,
title = {Monolithic integration of ultraviolet microdisk lasers into photonic circuits in a III-nitride-on-silicon platform},
author = {Farsane Tabataba-Vakili and Blandine Alloing and Benjamin Damilano and Hassen Souissi and Christelle Brimont and Laetitia Doyennette and Thierry Guillet and Xavier Checoury and Moustafa El Kurdi and Sébastien Chenot and Eric Frayssinet and Jean-Yves Duboz and Fabrice Semond and Bruno Gayral and Philippe Boucaud},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.13800},
year = {2020}
}