基于单层薄二元GaN/AlN量子异质结构MBE生长的232-270 nm深紫外LED
材料科学
2017-01-30 v2 光学
摘要
利用单层（ML）薄 GaN/AlN 量子结构作为有源区，获得了电注入深紫外（UV）发射。发射波长通过利用等离子体辅助分子束外延（PAMBE）以单层精度控制超薄 GaN 层的厚度来调谐。对于工作在 232 nm、246 nm 和 270 nm 的三种不同发光二极管（LEDs），实现了具有窄半高宽（FWHM）的单峰发射光谱。232 nm（5.34 eV）是迄今为止报道的以 GaN 作为发光材料并采用极化诱导掺杂的最短电致发光（EL）发射波长。
引用
@article{arxiv.1610.05651,
title = {MBE-grown 232-270 nm Deep-UV LEDs using Monolayer thin Binary GaN/AlN quantum heterostructures},
author = {SM Islam and Kevin Lee and Jai Verma and Vladimir Protasenko and Sergei Rouvimov and Shyam Bharadwaj and Huili Xing and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.05651},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 3 figures