无电子阻挡层 AlInN 纳米线深紫外发光二极管的设计与特性研究
应用物理
2019-07-19 v1 光学
摘要
我们报道了首例工作于深紫外(DUV)波长区域(亚 250 nm)的无电子阻挡层(EBL) AlInN 纳米线发光二极管(LED)的构想。我们使用 APSYS 软件对结果进行了系统分析,并与模拟的 AlGaN 纳米线 DUV LED 进行了比较。从仿真结果来看,AlGaN 基器件出现了显著的效率骤降,这归因于显著的电子泄漏。然而,与发射波长相近的 AlGaN 纳米线 DUV LED 相比,所提出的单量子阱(SQW) AlInN 基发光器件在高达 1500 A/cm2 的电流密度下提供了更高的内量子效率且无效率骤降,并具备高输出光功率。此外,我们发现横向磁偏振发射在 238 nm 波长处比横向电偏振发射强约 5 个数量级。进一步研究表明,由于有源区中存在非均匀载流子分布,多量子阱的引入会使 AlInN DUV 纳米线 LED 的性能下降。本研究通过替代当前使用的 AlGaN 半导体,为新型高性能 AlInN 纳米线 DUV LED 的设计提供了重要见解。
引用
@article{arxiv.1907.07715,
title = {Design and characteristic study of electron blocking layer free AlInN nanowire deep ultraviolet light-emitting diodes},
author = {Ravi Teja Velpula and Barsha Jain and Thang Ha Quoc Bui and Tan Thi Pham and Van Thang Le and Hoang-Duy Nguyen and Trupti Ranjan Lenka and Hieu Pham Trung Nguyen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.07715},
year = {2019}
}