用于III族氮化物紫外发光二极管的BAlN：未掺杂电子阻挡层
应用物理
2020-05-05 v1
摘要
研究了未掺杂BAlN电子阻挡层（EBL）以替代发光二极管（LEDs）中常规的AlGaN EBL。对各类掺杂EBL对LED输出特性影响的数值研究表明，在AlGaN EBL情形下LED性能严重依赖于p型掺杂水平，而BAlN EBL情形下对p型掺杂水平的依赖性较小。因此，我们提出用于LED的未掺杂BAlN EBL，以避免p型掺杂问题——这是AlGaN EBL中的一大技术挑战。在不掺杂的情况下，所提出的BAlN EBL相较于高掺杂的AlGaN EBL仍具有更优的阻挡电子与改善空穴注入的能力。本研究为设计紫外LED结构时解决电子泄漏与空穴注入不足问题提供了一条可行途径。
引用
@article{arxiv.2005.00929,
title = {BAlN for III-nitride UV light emitting diodes: undoped electron blocking layer},
author = {Wen Gu and Yi Lu and Rongyu Lin and Wenzhe Guo and Zi-Hui Zhang and Jae-Hyun Ryou and Jianchang Yan and Junxi Wang and Jinmin Li and Xiaohang Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.00929},
year = {2020}
}