与 AlN 近晶格匹配的 BAlGaN 合金用于高效紫外 LED
材料科学
2020-01-08 v1
摘要
AlGaN 与 AlN 衬底之间的晶格失配限制了紫外 LED 的设计与效率，但可通过共掺硼来缓解。我们采用杂化密度泛函理论研究了 BAlGaN 合金的热力学、结构和电子性质。我们表明 BAlGaN 可与 AlN 晶格匹配，且带隙与相同镓含量的 AlGaN 相匹配。我们预测当镓含量约为 45% 或更高时，BAlGaN 发射横向电偏振光。我们的结果表明 BAlGaN 合金是体 AlN 衬底上更高效率紫外光电子器件的 promising 材料。
引用
@article{arxiv.1908.10814,
title = {BAlGaN alloys nearly lattice-matched to AlN for efficient UV LEDs},
author = {Logan Williams and Emmanouil Kioupakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.10814},
year = {2020}
}