基于bulk AlN衬底的InGaN覆盖AlGaN DUV LED工作电压提升
材料科学
2025-10-30 v1 应用物理
摘要
提高深紫外光发光二极管（DUV-LED）的墙面插值效率，需要实现p型与n型接触电阻率同时降低，这是一项具有挑战性的任务。本文研究了p型InGaN和n型AlGaN接触的联合优化。我们发现，使用薄7%InGaN覆盖可实现低电阻p型接触，具体接触电阻为3.10×10^{-5} Ohm·cm²。当集成p型和n型接触后，我们发现800℃的高温退火对于n-AlGaN接触形成低电阻所必需，但会严重降解p型InGaN层，导致空穴浓度下降，使具体接触电阻升至9.72×10^{-4} Ohm·cm²。采用等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）在高温n型接触退火前沉积SiO₂覆盖，可恢复低p型接触电阻，从而实现p型和n型接触同时低阻。采用SiO₂覆盖技术制造的DUV LED发射波长为268 nm，在400 A/cm²电流水平下工作电压降低3.5 V，微观ON电阻从6.4 mOhm·cm²降低至4.5 mOhm·cm²。该研究为高性能高Al含量双极型AlGaN器件的可扩展路径提供了突破。
引用
@article{arxiv.2510.24892,
title = {Improved operating voltage in InGaN-capped AlGaN-based DUV LEDs on bulk AlN substrates},
author = {H-W S. Huang and S. Agrawal and D. Bhattacharya and H. G. Xing and D. Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.24892},
year = {2025}
}
备注
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