具有梯度异质结构欧姆接触的 AlGaN 沟道场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2016-11-03 v1
摘要
我们报道了具有异质结构工程低电阻欧姆接触的超宽禁带 (UWBG) Al0.75Ga0.25N 沟道金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管 (MISFET)。AlN 的低本征电子亲和势 (0.6 eV) 导致金属-AlGaN 界面处存在大的肖特基势垒，从而产生高电阻的欧姆接触。在本工作中，我们使用反向组分梯度 n++ AlGaN 接触层来实现向上的电子亲和势梯度，从而在与非合金化接触的 n-Al0.75Ga0.25N 沟道（禁带宽度约 5.3 eV）之间实现 ohm.cm 的低比接触电阻。我们还展示了采用组分梯度 n++ 欧姆接触层和 20 nm 原子层沉积 Al2O3 作为栅介质层的 UWBG Al0.75Ga0.25N 沟道 MISFET 器件操作。
引用
@article{arxiv.1608.06686,
title = {AlGaN Channel Field Effect Transistors with Graded Heterostructure Ohmic Contacts},
author = {Sanyam Bajaj and Fatih Akyol and Sriram Krishnamoorthy and Yuewei Zhang and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.06686},
year = {2016}
}