通过插入石墨烯在金属与 AlGaN/GaN 异质结构间形成欧姆接触
材料科学
2013-02-15 v2
摘要
展示了一种利用 Cr/石墨烯层在 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMTs）中与二维电子气（2DEG）形成欧姆接触的简单方法。在 77 至 300 K 范围内观察到的该欧姆接触的弱温度依赖性，排除了热电子发射或陷阱辅助跳跃作为可能的载流子输运机制。研究表明，Cr/石墨烯组合的作用类似于与 AlGaN/GaN 异质结构接触的掺杂 n 型半导体，并促进了载流子沿 AlGaN 层中渗流的贫 Al 路径输运。石墨烯的这一新用途为 AlGaN/GaN 异质结构提供了一种简单可靠的欧姆接触制备方法，避免了涉及高温的复杂附加工艺步骤。这些结果可能对未来基于 AlGaN/GaN 的微电子与光电子器件/传感器的制造与生产具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1301.1952,
title = {Ohmic Contact Formation Between Metal and AlGaN/GaN Heterostructure via Graphene Insertion},
author = {Pil Sung Park and Kongara M. Reddy and Digbijoy N. Nath and Zhichao Yang and Nitin P. Padture and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.1952},
year = {2013}
}